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HOME > 書籍 > 脱ITOに向けた透明導電膜の低抵抗・低温・大面積成膜技術

脱ITOに向けた透明導電膜の低抵抗・低温・大面積成膜技術

脱ITOに向けた透明導電膜の低抵抗・低温・大面積成膜技術

価格:\ 86,100 (税込)

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商品データ

価格: \86,100
商品番号: lb000203
メーカー商品番号: 1301
商品形態:B5判 約348頁      
商品内容:

●発刊:平成17年7月末    


【執筆者紹介】
住友金属鉱山(株) 名手 達夫 氏
住友金属鉱山(株) 阿部 能之 氏
出光興産(株) 井上 一吉 氏
ナガセケムテックス(株) 千種 康男 氏
アルバック(株) 清田 淳也 氏
(株)神戸製鋼所  玉垣 浩 氏
東京工芸大学 澤田 豊 氏
(株)KRI 福井 俊巳 氏
日本板硝子(株) 藤沢 章 氏
(株)SPD研究所 金子 正治 氏
慶應義塾大学 藤原 忍 氏
徳島大学 富永 喜久雄 氏
高知工科大学 山本 哲也 氏
香川大学 須崎 嘉文 氏
大阪産業大学 鈴木 晶雄 氏
(株)アルバック 新井 真 氏
尾池工業(株) 杉山 征人 氏
パナソニックエレクトロニックデバイス(株) 中西 朗 氏
旭硝子(株) 佐藤 一夫 氏
(株)林原生物科学研究所 松井 文雄 氏
ジオマテック(株) 中澤 弘実 氏
(株)フジクラ 川島 卓也 氏
(株)リコー 家地 洋之 氏
千葉大学 工藤 一浩 氏
TDK(株) 栗原 弘 氏
産業技術総合研究所 仁木 栄 氏

【目  次】
 

第1章 透明導電膜用材料の設計とその物性・特性

第1節  ITOターゲット

1.透明導電膜の意義
2.透明導電膜材料とは
3.ITO薄膜の歴史と物性
 4.ITOターゲット
 4.1 ITOターゲットの製造方法
 4.2 ITOターゲットに要求される特性
 4.3 ITOターゲットの現状
 4.4 主要原料インジウムの動向
5.これからの透明導電膜用材料

第2節 酸化亜鉛

1.はじめに
2.酸化亜鉛の結晶構造と非化学量論性
3.ZnO系透明導電膜の透明導電性
4.直流マグネトロンスパッタ法によるGZO膜の成膜
5.まとめ

第3節 酸化インジウム/酸化亜鉛

1.酸化インジウム・酸化亜鉛(IZO:Indium Zinc Oxide)
 1.1 IZOの特徴
 1.2 IZOターゲットの特徴
 1.3 IZOの成膜安定性
 1.4 IZO薄膜のエッチング特性
2.IZO薄膜の応用
 2.1 有機エレクトロルミネッセンス(EL)電極

第4節  透明導電性コーティング材料

1.導電性ポリマーによる透明導電膜
 1.1 前駆体塗液と目的物塗液
 1.2 金属酸化物と導電性ポリマー
 1.3 導電性ポリマーのコーティング材とITOスパッタとの比較
2.ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸との複合体
2.1 ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)と ポリスチレンスルホン酸との複合体の製造方法と特徴
2.2 ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸との複合体の導電性の向上
3.デナトロン(高導電グレード)の特性
3.1 デナトロン(高導電グレード)とは?  
3.2 デナトロン(高導電グレード)の特性
 3.2.1 デナトロン P-5002SHCおよびP-4500SHC/Mフィルムの透明性と導電性
 3.2.2 デナトロン P-5002SHCおよびP-4500SHC/Mフィルムの種々物性
 3.2.3 パターニング

第2章 各種材料別透明導電膜の作製とその特性・物性の評価

第1節 酸化インジウム

【1】スパッタリング法
1.スパッタリング
 1.1 スパッタリング法とは
 1.2 スパッタリング法の特徴
 1.3 マグネトロン・スパッタリング法
 1.4量産装置としてのスパッタリング装置
2.ITO膜の作製方法
3.スパッタリング法によるITO膜の形成技術
 3.1 スパッタリング法による薄膜作成
 3.2 導入酸素量と膜質について
 3.3 成膜温度と膜質について
 3.4 ターゲット組成について
 3.5 低電圧スパッタ法

【2】アンバランスドマグネトロンスパッタ法
1.UBMS法の原理と特徴
2.UBMS法によるITO成膜
2.1 UBMS/BM両方式の成膜特性の比較
2.2 UBMS法により樹脂フィルム上に形成した低抵抗ITO膜の諸特性
2.3 UBMS法によるITO低温成膜時の膜質改善メカニズム

【3】スプレーCDV法
1.製膜方法
2.スプレーCVD膜の構造・組成・膜厚
3.スプレーCVD膜の特性

【4】ゾルーゲル法
1.ゾルーゲル法とは
2.ゾルーゲル法によるITO膜の形成
2.1 出発原料の影響
2.2 Sn比率と酸素欠陥の影響
2.3 膜微細構造の影響

3.ゾルーゲル法によるITO膜の低温形成の可能性
3.1 ITO膜の低温形成
3.2 光アシストゾルーゲル法によるITO膜の室温形成

第2節 酸化スズ

【1】オンラインCVD
1.オンラインCVD法
2.CVD法によるSnO2膜
3.Low-Eガラス
4.太陽電池基板

【2】 スプレー熱分析法  
1.薄膜形成プロセス  
2.有機金属化合物から形成した酸化インジウム薄膜  
3.無機塩から形成した酸化インジウム薄膜
4.高温特性の改善  
 4.1 FTO/ITO積層膜の形成と評価
 4.2 FTO/ITO積層膜の高温耐性

【3】水溶液析出法
1.水溶液析出法の概要
2.コロイド法
 2.1 コロイド法とゾル−ゲル法の比較
 2.2 コロイド法の実験技術
3.化学溶液析出法
 3.1 原料の検討と化学反応
 3.2 実験技術
 3.3 化学溶液析出法の新展開
4.今後の展望

第3節 酸化亜鉛

【1】マグネトロンスパッタリング
1.はじめに
2.ZnOスパッタ膜作製における高速酸素
3.プレーナマグネトロンスパッタ法によるZnO透明導電膜
 3.1 ZnO:Ov膜 
 3.2 ZnO:Al膜
 3.3 対向ターゲット式スパッタ法によるZnO透明導電膜作製
  3.3.1 ZnO:Ovの場合
  3.3.2 ZnO:Al(Al2O3=2 wt%)の場合 
  3.3.3 ZnO:Al(Al2O3=2 wt%)のアニーリングとCr, Mn, Coの混入の影響
4.ZnO-In2O3擬2元系酸化物透明導電膜
 4.1 ZnOとIn2O3から作製した透明導電膜
5.おわりに

【2】アーク放電蒸着法

【3】大気圧プラズマ
1.大気圧低温プラズマ法
2.ZnO薄膜の作製とAlドーピング効果
 2.1 大気圧低温プラズマ薄膜作製装置の構成
 2.2 配管温度による薄膜特性の変化
 2.3 Al添加による薄膜特性の変化
 2.4 基板加熱

【4】レーザーアブレーション法
1.レーザーアブレーション法に用いる実験装置
2.レーザーアブレーション法による酸化亜鉛系透明導電膜の作製および特性
 2.1 種々ドーパントを添加した酸化亜鉛系透明導電膜の電気的・光学的特性
 2.2 10−5 Ω・cmオーダーの低抵抗化が実現できたAZO(ZnO:Al2O3)透明導電膜
 2.3 多様な表面形態を有するGZO(ZnO:Ga2O3)透明導電膜
 2.4 AZO(ZnO:Al2O3)+GZO(ZnO:Ga2O3)積層型透明導電膜
3.まとめ
 3.3 AZO透明導電膜
 3.2 GZO透明導電膜
 3.3 AZO+GZO積層型透明導電膜

【5】水溶液析出法
1.水溶液析出法の概要
2.化学溶液析出法
 2.1 実験技術
 2.2 核生成の制御
 2.3 ZnO:Al膜の析出
3.電着法
 3.1 実験技術
 3.2 電着反応の制御
 3.3 ドープ型ZnO膜の析出
4.今後の展望

第3章 透明導電膜の各種デバイスへの応用とその要求特性

第1節 液晶ディスプレイ
1.各種LCDにおける透明導電膜の要求特性と生産装置
2.TN、STN用透明導電膜の形成方法
 2.1 低抵抗ITO膜の形成
3.低抵抗ITO/CF成膜技術
4.TFT画素用透明導電膜の成膜技術
 4.1 H2O添加による非晶質ITO膜
 4.2 In-Zn-O系非晶質透明導電膜

第2節 透明導電性フィルム
1.透明導電性フィルムの開発
2.透明導電性フィルムの応用と要求特性
 2.1 PDP光学フィルター
 2.2 タッチパネル
 2.3 LCDプラスチック基板(プラセル)
 2.4 無機EL
 2.5 電磁波(EMI)シールド
 2.6 調光フィルム
 2.7 有機EL
 2.8 色素増感型太陽電池(DSC)用透明導電性フィルム
 2.9 電子ペーパー

第3節 タッチパネルへの透明導電膜の応用
1.概要
2.抵抗膜式透明タッチパネルの構成,動作原理
 2.1 構成
 2.2 動作原理
3.アナログ抵抗膜式タッチパネルにおける透明導電膜の役割
4.アナログ抵抗膜式タッチパネルにおける透明導電膜への要求特性
 4.1 光学特性(光線透過率・反射率)
 4.2 抵抗値
 4.3 抵抗値均一性(直線性)
 4.4 耐久性
 4.5 耐環境特性
5.まとめと今後の動向

第4節 薄膜太陽電池
1.薄膜太陽電池の構造と透明導電膜
2.太陽電池用透明導電膜の要求特性と評価方法
 2.1 高透過率と低抵抗の両立
 2.2  テクスチャおよび評価方法
 2.3  テクスチャ形状の最適化
 2.4  他のTCO材料
3.高効率化技術
 3.1 ガラス基板の高透過率(組成および反射防止層)
 3.2. 耐水素ラジカル保護コート
 3.3  高ヘイズ率化   
4.TCOの製造方法(常圧CVD法)

第5節 
【1】色素増感太陽電池@
1.電池構造と供試材料
2.透明導電膜のヘイズ率が透過率および電池性能に及ぼす影響
 2−1 垂直入射光の透過率
 2−2 色素増感太陽電池性能
3.リーク防止層の効果

【2】色素増感太陽電池A
1.色素増感太陽電池に用いる透明導電膜に要求される特性
2.各種透明導電膜の特性比較
 2.1 抵抗値
 2.2 光学特性
 2.3 耐熱性
 2.4 耐薬品性
 2.5 表面形状
 2.6 各透明導電膜の特性のまとめと問題点および解決策
3.ITO/SnO2系積層型透明導電膜の作製と諸特性
 3.1 サンプル作製
 3.2 特性評価
  3.2.1 結晶性の変化
  3.2.2 表面形状の変化
  3.2.3 伝導特性の変化
  3.2.4 光学特性の変化
  3.2.5 結果のまとめ
4.色素太陽電池への応用
5.まとめと今後の課題

第6節 高耐熱・高導電性透明導電ガラス
1.透明導電性金属酸化物膜の複層化
 1.1 透明導電性金属酸化物膜複層化の現在
 1.2 色素増感型太陽電池に求められる透明導電ガラス
 1.3 ITOとFTOの導電機構の違い
2.FTO/ITO複合導電膜の形成
 2.1 成膜方法の検討
 2.2 成膜条件
3.FTO/ITO複合導電膜の特性
 3.1 FTO/ITO複合膜の光透過特性
 3.2 FTO/ITO複合膜の導電性
 3.3 各種TCOガラス基板の性能

第7節 有機トランジスタ
1.はじめに
2.ZnO薄膜の形成と縦型有機デバイスへの応用
 2.1 ZnOの結晶構造
 2.2 ZnO薄膜の形成
 2.3 ZnO薄膜のX線回折による評価
 2.4 Glass/ITO/ZnO/Au構造の電気的特性
 2.5 ZnO薄膜のスパッタオージェ電子分光による評価
 2.6 ZnO薄膜のOLEDのバンドダイアグラム
3.ZnO薄膜を用いた有機LED素子の作製
 3.1 有機LED構造と作製方法
 3.2 測定結果と考察
4.ZnO薄膜を用いたSTI素子の作製
 4.1 STI構造と作製方法
 4.2 測定結果と考察
5.まとめ

第8節 透明電波吸収体
1.透明電波吸収体の技術動向
2.λ/4型電波吸収体の動作原理
3.透明電波吸収体
 3.1 基本構造および設計方法
 3.2 設計および製作、評価
 3.3 全光線透過率
 3.4 耐久性
4.透明電波吸収体の応用事例
 4.1 ETC料金所の電磁環境
 4.2 透明電波吸収体によるETC料金所の電磁環境改善
  4.2.1 λ/4型透明電波吸収パネルの設計および製作、評価
  4.2.2 λ/4型透明電波吸収パネルの設置、検証
5.透明電波吸収体の展開
 5.1 ITSへの展開
 5.2 無線LANへの展開

第9節 透明導電膜の高機能化と光デバイスへの応用   
1.酸化亜鉛透明導電膜   
2.バンドギャップ制御   
3.LEDの透明電極

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